IRFR9120N UMW

Symbol Micros: TIRFR9120n UMW
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 235 mOhm; 8A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9120NPBF; IRFR9120NTRLPBF; IRFR9120NTRPBF; SP001578344; SP001576108; SP001557182;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR9120N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6033 0,3799 0,3155 0,2809 0,2625
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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