IRFRC20 smd
Symbol Micros:
TIRFRC20
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
105 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 450+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8346 | 0,6196 | 0,4606 | 0,3974 | 0,3624 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
Ausführliche Beschreibung
Transistor type: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power: 42W
On-state resistance: 4.4Ω
Case: TO252t/r
Mounting: SMD
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