IRFRC20 smd
Symbol Micros:
TIRFRC20
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFRC20TRPBF; IRFRC20TRRPBF; IRFRC20TRLPBF; IRFRC20PBF; IRFRC20PBF-BE3; IRFRC20TRLPBF-BE3; IRFRC20TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
753 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3602 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
165 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 600+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8296 | 0,5229 | 0,3974 | 0,3672 | 0,3602 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3602 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3602 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Ausführliche Beschreibung
Transistortyp: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Spannung Drain-Source: 600V
Drainstrom: 2A
Leistung: 42W
Durchgangswiderstand: 4.4Ω
Gehäuse: TO252t/r
Montage: SMD
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