IRFS11N50A
Symbol Micros:
TIRFS11N50A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 11A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFS11N50APBF;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 520mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFS11N50A RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2805 | 1,8669 | 1,6286 | 1,4790 | 1,4253 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 520mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | SMD |
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