IRFS11N50A

Name: TIRFS11N50A TIRFS11N50A
Brand: Vishay
SKU: TIRFS11N50A
Price: 1.4221 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFS11N50A

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 11A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFS11N50APBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFS11N50A RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,2754	1,8628	1,6250	1,4758	1,4221

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFS11N50A RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,2754	1,8628	1,6250	1,4758	1,4221

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFS11N50APBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1900 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4221

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFS11N50APBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4221

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD