IRFS3004-7P

Symbol Micros: TIRFS3004-7P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,25 mOhm; 400A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3004-7PBF-GURT; IRFS3004TRL7PP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS3004TRL7PP Gehäuse: TO263/7  
Externes Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3652
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS3004TRL7PP Gehäuse: TO263/7  
Externes Lager:
620 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8014
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD