IRFS3006-7P
Symbol Micros:
TIRFS3006-7P
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,1 mOhm; 293A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3006TRL7PP; IRFS3006-7PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 293A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3006TRL7PP
Gehäuse: TO263/7
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3598 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3006TRL7PP
Gehäuse: TO263/7
Externes Lager:
630 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6929 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3006TRL7PP
Gehäuse: TO263/7
Externes Lager:
5600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7082 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 293A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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