IRFS3206
Symbol Micros:
TIRFS3206
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3206PBF; IRFS3206TRRPBF; IRFS3206PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFS3206TRL RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1659 | 1,7182 | 1,5527 | 1,4688 | 1,4431 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3206TRRPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4431 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3206TRRPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4431 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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