IRFS3307Z
Symbol Micros:
TIRFS3307Z
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 75V 120A 230W IRFS3307ZTRRPBF IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRRPBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3307ZTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8998 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3307ZTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7572 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3307ZTRRPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3710 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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