IRFS3806

Symbol Micros: TIRFS3806
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 43A 60V 71W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD