IRFS3806

Symbol Micros: TIRFS3806
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3806TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD