IRFS4010
Symbol Micros:
TIRFS4010
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 180A 100V 375W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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