IRFS4010

Symbol Micros: TIRFS4010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,7 mOhm; 180A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1060 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2881
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
8800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9984
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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