IRFS4115

Name: TIRFS4115 TIRFS4115
Brand: Infineon
SKU: TIRFS4115
Price: 1.1064 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFS4115

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 12,1 mOhm; 99A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4115TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12,1mOhm
Max. Drainstrom:	99A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

220 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3135

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRL7PP Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5603

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

5600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1064

Widerstand im offenen Kanal:	12,1mOhm
Max. Drainstrom:	99A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD