IRFS4115-7P

Symbol Micros: TIRFS4115-7P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,8 mOhm; 105A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4115TRL7PP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,8mOhm
Max. Drainstrom: 105A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFS4115-7P RoHS Gehäuse: TO263/7 Datenblatt
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 3+ 5+ 10+
Nettopreis (EUR) 3,5087 3,0075 2,7883 2,5715 2,3547
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 11,8mOhm
Max. Drainstrom: 105A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD