IRFS4127

Symbol Micros: TIRFS4127

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4127PBF; IRFS4127TRLPBF; IRFS4127PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	72A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFS4127TRL RoHS IRFS4127 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,4107	1,9141	1,7299	1,6366	1,6063

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4127TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

8400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6063

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4127TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1740 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6063

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	72A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD