IRFS4610

Symbol Micros: TIRFS4610

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 73A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4610PBF; IRFS4610TRLPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	73A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	73A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD