IRFS4620
Symbol Micros:
TIRFS4620
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 77,5 mOhm; 24A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4620TRLPBF; IRFS4620PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 77,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFS4620 RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8906 | 1,5058 | 1,2907 | 1,1592 | 1,1114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4620TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4620TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1114 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 77,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole