IRFS52N15D
Symbol Micros:
TIRFS52N15d
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 150V 60A 3.8W IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRRP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS52N15DTRLP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9298 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS52N15DTRLP
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
830 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1046 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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