IRFS59N10D
Symbol Micros:
TIRFS59N10D
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 59A 100V 3,8W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 59A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 59A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | SMD |
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