IRFS7530PBF
Symbol Micros:
TIRFS7530
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,1 mOhm; 295A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS7530TRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 295A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5917 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
170 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4061 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1361 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 295A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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