IRFS7530-7PBF
Symbol Micros:
TIRFS7530-7
Gehäuse: D2PAK/7
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 mOhm; 338A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS7530-7PBF-GURT; IRFS7530TRL7PP; IRFS7530-7PPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 338A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK/7 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRL7PP
Gehäuse: D2PAK/7
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1974 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRL7PP
Gehäuse: D2PAK/7
Externes Lager:
1370 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4232 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRL7PP
Gehäuse: D2PAK/7
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1495 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 338A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK/7 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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