IRFS7730PBF

Symbol Micros: TIRFS7730
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 2,6 mOhm; 246A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS7730TRLPBF; IRFS7730TRL7PP; IRFS7730-7PPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 246A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7730TRLPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3705
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7730TRLPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0888
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 246A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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