IRFSL3207Z
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFSL3207ZPBF
Gehäuse: TO262
Externes Lager:
49600 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8205 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |