IRFU024PBF

Symbol Micros: TIRFU024

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 14A; 42W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU024PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

3075 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2626

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT