IRFU024N

Symbol Micros: TIRFU024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET 10A 75V 38W 0.075Ω IRFU024NPBF

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-30
Anzahl Stück: 75
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT