IRFU024N

Symbol Micros: TIRFU024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFU024NPBF; IRFU024NPBFAKLA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU024NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9643 0,6389 0,5264 0,4810 0,4594
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT