IRFU110
Symbol Micros:
TIRFU110
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU110PBF RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,5327 | 0,3224 | 0,2383 | 0,2203 | 0,2126 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU110PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2126 |
Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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