IRFU120
Symbol Micros:
TIRFU120
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU120PBF; IRFU120PBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: VBsemi
Hersteller-Teilenummer: IRFU120PBF-VB RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 45+ | 180+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9739 | 0,7155 | 0,5719 | 0,4953 | 0,4642 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFU120PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4642 |
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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