IRFU120

Symbol Micros: TIRFU120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU120PBF; IRFU120PBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRFU120PBF-VB RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 45+ 180+
Nettopreis (EUR) 0,9739 0,7155 0,5719 0,4953 0,4642
Standard-Verpackung:
45
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFU120PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4642
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT