IRFU13N20DPBF

Symbol Micros: TIRFU13n20d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU13N20DPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2227 0,8089 0,6686 0,6102 0,5821
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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