IRFU13N20DPBF

Symbol Micros: TIRFU13n20d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 235 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU13N20DPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2219 0,8084 0,6682 0,6098 0,5818
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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