IRFU1N60APBF
Symbol Micros:
TIRFU1N60A
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS
Gehäuse: IPAK
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4860 | 0,2944 | 0,2187 | 0,2016 | 0,1946 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS
Gehäuse: IPAK
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4860 | 0,2920 | 0,2430 | 0,2091 | 0,1946 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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