IRFU1N60APBF

Symbol Micros: TIRFU1N60A
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4860 0,2944 0,2187 0,2016 0,1946
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,4860 0,2920 0,2430 0,2091 0,1946
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT