IRFU220PBF
Symbol Micros:
TIRFU220
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 4,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU220PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
225 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3126 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU220PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
1326 stk.
| Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2439 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU220PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
2450 stk.
| Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2452 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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