IRFU220N
Symbol Micros:
TIRFU220n
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU220NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 750+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9131 | 0,5768 | 0,4390 | 0,4203 | 0,3970 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3970 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
555 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4189 |
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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