IRFU220N

Symbol Micros: TIRFU220n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU220NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,9131 0,5768 0,4390 0,4203 0,3970
Standard-Verpackung:
75/150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3970
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
555 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4189
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT