IRFU2405PBF

Symbol Micros: TIRFU2405

Gehäuse: TO251 (IPACK)

Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT