IRFU320

Symbol Micros: TIRFU320
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET HEXFET 400V 3,1A 42W 1,80Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT