IRFU320
Symbol Micros:
TIRFU320
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3.1A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU320PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU320PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2810 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU320PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
2025 stk.
| Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3177 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU320PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
6825 stk.
| Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3691 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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