IRFU3607

Symbol Micros: TIRFU3607
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU3607PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU3607PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
3397 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3893
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU3607PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4453
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT