IRFU3910

Symbol Micros: TIRFU3910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET 16A 100V 79W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU3910PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8861 0,6593 0,4863 0,4162 0,3858
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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