IRFU420
Symbol Micros:
TIRFU420
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFU420 RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6402 | 0,4743 | 0,3505 | 0,3014 | 0,2780 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
43525 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2780 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2850 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
35475 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2780 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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