IRFU420

Symbol Micros: TIRFU420
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU420 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6402 0,4743 0,3505 0,3014 0,2780
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
43525 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2780
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2850
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
35475 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2780
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT