IRFU420A

Symbol Micros: TIRFU420a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 3,3A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420APBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU420A RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 225+
Nettopreis (EUR) 0,9183 0,6052 0,5000 0,4556 0,4369
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole