IRFU4615

Symbol Micros: TIRFU4615
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 42mOhm; 33A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU4615PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU4615PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
71 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1536 0,8056 0,6842 0,6328 0,6072
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU4615PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1075 stk.
Anzahl Stück 225+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6355
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU4615PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9522
Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT