IRFU5305

Symbol Micros: TIRFU5305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU5305PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1442 0,8010 0,6795 0,6258 0,6025
Standard-Verpackung:
75/300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
6895 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6025
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6025
Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT