IRFU5410PBF
Symbol Micros:
TIRFU5410
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 205mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 66W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU5410PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
330 stk.
| Anzahl Stück | 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6685 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU5410PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
1117 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4462 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 205mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 66W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole