IRFU6215

Symbol Micros: TIRFU6215
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 580 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU6215PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU6215PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8827 0,5838 0,4834 0,4390 0,4203
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT