IRFU9014

Symbol Micros: TIRFU9014
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 5.1A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU9014PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
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75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6341 0,4703 0,3486 0,2995 0,2761
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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