IRFU9024NPBF

Symbol Micros: TIRFU9024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7154 0,5307 0,3928 0,3367 0,3109
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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