IRFU9120

Symbol Micros: TIRFU9120

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 5,6A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU9120PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU9120PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

2150 stk.

Anzahl Stück	525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2431

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT