IRFZ14

Symbol Micros: TIRFZ14
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ14PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFZ14 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5861 0,3666 0,2872 0,2709 0,2545
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFZ14PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2545
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT