IRFZ34N

Name: TIRFZ34n TIRFZ34n
Brand: Infineon
SKU: TIRFZ34n
Price: 0.3000 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFZ34n

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6888	0,4320	0,3384	0,3192	0,3000

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6888	0,4320	0,3384	0,3192	0,3000

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

68836 stk.

Anzahl Stück	600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3000

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1660 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3000

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3000

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT