IRFZ34NS

Symbol Micros: TIRFZ34ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NSTRLPBF; IRFZ34NSPBF; IRFZ34NSTRRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

5600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3000

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1070 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3562

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD