IRFZ44E

Symbol Micros: TIRFZ44e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 48A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1238 0,7476 0,5771 0,5584 0,5350
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44EPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5350
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT