IRFZ44NS smd

Symbol Micros: TIRFZ44ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NSPBF; IRFZ44NSTRLPBF; IRFZ44NSTRRPBF; IRFZ44NSPBF-GURT;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NSTRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
960 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0858 0,7231 0,5974 0,5381 0,5168
Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1360 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5168
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD