IRFZ44Z

Symbol Micros: TIRFZ44z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 13,9 mOhm; 51A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44ZPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8904 0,5652 0,4452 0,4060 0,3875
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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