IRFZ44Z

Symbol Micros: TIRFZ44z

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 13,9 mOhm; 51A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44ZPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13,9mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9308	0,5887	0,4642	0,4235	0,4044

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

14097 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4044

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

560 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4044

Widerstand im offenen Kanal:	13,9mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT