IRFZ44Z

Symbol Micros: TIRFZ44z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 13,9 mOhm; 51A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9308 0,5887 0,4642 0,4235 0,4044
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
14097 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4044
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
560 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4044
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT