IRFZ46NPBF

Symbol Micros: TIRFZ46
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16,5 mOhm; 53A; 107W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ46NPBF; IRFZ 46N PBF; IRFZ46N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9229 0,6776 0,5420 0,4649 0,4392
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3400 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4392
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ 46 N PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6679
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4392
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT