IRFZ48

Symbol Micros: TIRFZ48
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48PBF; IRFB3806PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFZ48 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6540 1,2250 1,0200 0,9962 0,9724
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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