IRFZ48N

Symbol Micros: TIRFZ48n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NPBF; IRFZ 48N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ48N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9958 0,7314 0,5860 0,5027 0,4741
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
25598 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4741
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4130 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4741
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ 48 N PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8623
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT