IRFZ48N
Symbol Micros:
TIRFZ48n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NPBF; IRFZ 48N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
Max. Drainstrom: | 64A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9958 | 0,7314 | 0,5860 | 0,5027 | 0,4741 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
25598 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4741 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4130 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4741 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ 48 N PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
13 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8623 |
Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
Max. Drainstrom: | 64A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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